半导体器件物理
施敏
评分 9.2分
《半导体器件物理》（第3版）这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进
半导体器件物理与工艺
评分 8.4分
《半导体器件物理与工艺》(第2版)分为三个部分：第1部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和
半导体制造工艺基础
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《半导体制造工艺基础》是关于介绍“半导体制造工艺基础”的教学用书，书中介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。《半导体制造工艺基础》第一章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史，并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀
